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Hawkeye-P

SiC衬底外延检测装备Hawkeye-M-SiC2

在半导体晶圆表面上制造芯片的工艺过程极其复杂,涉及多个工艺步骤,易产生各种缺陷,这些缺陷种类繁多、形态各异,尺寸又极小,人工检测缺陷精度差、效率低、标准不统一,给质量监控造成了极大困难。半导体图形晶圆缺陷检测设备,采用显微光学系统对晶圆表面成像,利用图像比对、人工智能算法等实现对各种缺陷的全自动识别与分类检测,可用于半导体生成厂家的大个工艺环节进行产品质量监控,可替代人工完成晶圆中大量缺陷的检测,在一定程度上避免人工检测存在的检测精度差、效率低、标准不统一等问题,此外,还可以提供大量的具有代表性的、可统计分析的缺陷检测数据,用于工艺制程分析,助力工艺改进,以达到最终保证封装产品的良率、降低生产成本的目的。 Hawkeye-P是针对于一些需要划片后Frame晶圆,或正反双面检测的有图形晶圆,研制的一套多功能晶圆检测设备。本设备采用多种倍率组合的反射式显微系统,同时具备明暗场、红外等成像功能,可检测亚微米尺寸缺陷和隐裂,配合高速扫描装置与多功能EFEM,可实现缺陷快速检出、定位及统计。适用于划片后Frame晶圆、正反双面检测的有图形晶圆表面及内部等特殊检测需求。

功能概述 产品优势 技术参数

功能概述:

1)用于检测: 碳化硅衬底片、碳化硅外延片

2)检测缺陷: 表面加工缺陷划痕、裂纹Y凸、胡萝 卜三角、台阶脏污颗粒、晶体结构缺陷:BPD、SF 


产品优势:

1)多波长多波长不同深度的PL成像,精准定位缺陷

2)高效率可实现12WPH(6英寸,含PL)高速检测

3)双面检测可双面(硅/碳)检测,定制宏观成像

4)本地服务::核心部件支持国产,多地售后团队响应快


技术参数:

项目规格参数
晶圆尺寸4、5、6、8英寸
晶圆厚度350~1500um
可选成像方式

DIC/ 暗场/PL

物镜可选倍率

x2、x5、x10

颗粒物检测精度

≥0.2um

其它缺陷检测精度≥0.5um


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