碳化硅（SiC）衬底与（GaN）外延片是高端功率半导体器件的基础材料，其制造难度较高，易出现加工工艺缺陷和晶体结构缺陷，这些缺陷往往尺度小、形态多样，在普通的显微镜下，难以观察，通常需要采用偏光显微镜等特殊设备进行人工检测。然而人工检测标准难以统一，受主观性影响大。碳化硅衬底与外延检测设备，采用多种显微光学成像系统对晶圆表面成像，再利用图像比对、人工智能算法等实现对各种缺陷的全自动识别与分类检测，可用于衬底和外延的每个生产加工环节，进行产品质量监控，替代人工目检实现良率管控，以达到提质增效的目的。 Hawkeye-SiC-C/P是针对碳化硅衬底与外延片生产制造过程中不同阶段的检测要求，开发的一系列检测设备。本套设备具有明、暗场反射式显微系统，透射式显微系统，宏观成像系统，偏光显微成像系统，光致激发（PL）系统，微分干涉相衬系统，实现全彩色高通量碳化硅衬底与外延片检测，最高可检测亚微米尺寸缺陷，可实现多种特殊要求，例如缺陷分类识别和统计等功能。